1 中国科学院激发态物理开放实验室, 长春 130021
2 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所, 长春 130021
3 长春光学精密机械学院高功率激光国防重点实验室, 长春 130022
4 Astronomy and Physics Department, Cardiff University, UK
研究了用MOCVD方法生长的InGaAs/AlGaAs单量子阱(SQW)激光器阈值、温度依赖特性及光增益谱。在300 Κ下2000 μm腔长的激光器的激射阈值电流密度为200 A/cm2。在250 Κ到400 Κ范围内, 激光器表现出很好 的激射阈值温度稳定性,其阈值电流密度特征温度为179 Κ。在160～220 Κ范围内激光器的阈值电流随温度升高而减小,表现出负特征温度现象。
单量子阱 负特征温度 低阈值电流密度 光增益
1 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院激发态物理开放实验室,长春,130021
2 长春光机学院高功率激光国家重点实验室,130022
3 Astronomy,and,Physics,Department,Cardiff,University,UK
用MOCVD方法生长制备了多层InGaAs/GaAs量子点结构,并研制出量子点激光器.研究了多层量子点激光器阈值激射特性与量子点有源区结构之间的关系,结果表明激光器的阈值电流密度依赖于量子点的结构.通过采用多层量子点、对量子点层间进行耦合以及采用宽禁带AlGaAs作为量子点层势垒可以有效地降低激光器的阈值电流密度.获得了最低为20 A/cm2的平均阈值电流密度.量子点激光器的激射波长也与有源区结构有关,随着量子点层数增加,激射峰向长波方向移动.
量子点 脊型结构 阈值电流密度
